Xарактеристики (ИЗТ):
Диапозон задания температуры 22 26 С0
Шаг задания температуры 2 С0
Точность измерения температуры 0, 5 С0
Шаг отображения температуры 0, 1 С0
Диапазон измерения температуры - 50 + 100
... и т.д.
Инверторные сварочные аппараты TIG DC PULSE построены на IGBT транзисторах. Электронный компоненты защищены от запыления. Платы покрыты дополнительным слоем лака. Каждый ... производитель:Flama
... и прочих соединениях электрических цепей;
• контроль и отбраковка электронных компонентов (MOSFEET транзисторов, сборок);
• при сборке, монтаже и эксплуатации силовых систем на ...
Xарактеристики КРУ 110/481, 5
Рабочий диапазон входного напряжения В 80-150
Номинальное входное напряжение В 110
Выходное напряжение канала вентиляторов В 48
Допуск на выходное напряжение каналов вентиляторов
... сварки.
Инверторный сварочный аппарат TIG 320 DC PULSE построен на IGBT транзисторах. Электронный компоненты защищены от запыления. Платы покрыты дополнительным слоем лака. Каждый ... производитель:Flama
Xарактеристики жидкости и способа установки преобразователя на резервуаре. Стержневые и кабельные преобразователи изготовляются длиною соответственно от I до 2,5 м и от 4 до 10 м.
... получения дефектов.
Инверторные сварочные аппараты Flama ARC E построены на IGBT транзисторах.
Питание сети аппарата осуществляется однофазным током в диапазоне напряжения 160 ... производитель:Flama
... токах.
Инверторный сварочный аппарат Flama MIG 250-3 построен на IGBT транзисторах. Электронный компоненты защищены от запыления. Платы покрыты дополнительным слоем лака. Каждый ... производитель:Flama
... и 203 мм.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... до 300 мм.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... и 203 мм.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... до 300 мм.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... произведен на базе современной инверторной технологии c использованием мощных IGBT транзисторов, по принципу широтно-импульсной модуляции (PWM). Данный аппарат является самым ... производитель:ТСС
... тумана.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... и 203 мм.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... до 300 мм.Технология, основанная на мостовой схеме, состоящей из биполярных транзисторов с изолированным затвором, позволяет добиться отличных характеристик при преобразовании тока ... производитель:Flama
... произведен на базе современной инверторной технологии c использованием мощных IGBT транзисторов, по принципу широтно-импульсной модуляции (PWM). Он отличается стабильной, надежной ... производитель:ТСС
... произведен на базе современной инверторной технологии c использованием мощных IGBT транзисторов, по принципу широтно-импульсной модуляции (PWM). Он отличается стабильной, надежной ... производитель:ТСС
... произведен на базе современной инверторной технологии c использованием мощных IGBT транзисторов, по принципу широтно-импульсной модуляции (PWM). Он отличается стабильной, надежной ... производитель:ТСС